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? 지난해 미국 캘리포니아주 샌타클래라 컨벤션센터에서 열린 플래시 메모리 서밋 2023에서 삼성전자 부스를 관람객들이 둘러보고 있다. 사진=삼성전자
삼성전자와 SK하이닉스가 글로벌 메모리 반도체 행사인 ‘미래 메모리 및 저장장치(FMS) 2024’에 참가해 최신 인공지능(AI) 메모리 기술과 제품을 선보인다. 양사는 이번 행사를 통해 글로벌 시장과 소통을 강화하고, 기조연설 등을 통해 메모리 반도체 선두 기업으로 기술리더십을 공고히 한다는 방침이다.
삼성전자와 SK하이닉스는 6일(현지시각)부터 이틀간 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 개최되는 글로벌 메모리 반도체 행사인 ‘FMS 2024’에 참가한다. FMS는 세계 최대 낸드플래시 행사로 AI시대가 본격화되면서 D램을 포함한 반도체 전 영역으로 분야가 확대되면서 올해부터 행사명도 ‘플래시메모리 서밋’에서 ‘미래 메모리 및 저장장치’로 변경됐다.
이 행사에서 양사 주요 인사들이 기조연설에 나선다. 권언오 SK하이닉스 고대역폭메모리(HBM) PI 담당(부사장)과 김천성 WW SSD PMO(부사장)가 ‘AI 시대, 메모리와 스토리지 솔루션 리더십과 비전’을 주제로 기조연설을 진행한다. AI 구현에 최적화된 SK하이닉스의 D램, 낸드 제품 포트폴리오와 AI 메모리 솔루션을 소개하고 권 부사장이 D램, 김 부사장은 낸드 분야 발표를 진행할 예정이다.
뒤를 이어 삼성전자에서는 짐 엘리엇 미주총괄 부사장을 비롯해 오화석 솔루션 제품 엔지니어링팀 부사장, 송택상 메모리사업부 D램 솔루션팀 상무가 AI 혁명: 메모리 및 스토리지에 대한 새로운 수요 증가를 주제로 연설한다. 삼성전자는 이 연설을 통해 다양한 AI 애플리케이션에 필수적인 메모리 제품과 기술을 설명하고 낸드 솔루션과 CXL 메모리 모듈을 맞춤화해 성능을 최적화하는 방법을 설명할 것으로 알려졌다.
양사가 어떤 제품을 전시할지도 주요 관심사다. 지난해 삼성전자는 PCIe 5.0 데이터센터용 솔리드스테이드드라이브(SSD) PM9D3a를 이 자리를 빌려 처음 공개했고, SK하이닉스는 업계 최초 300단 이상 낸드 제품인 321단 1Tb(테라비트) TLC(트리플레벨셀) 4D 낸드 샘플을 선보인 바 있다.
삼성전자는 이날 양산을 시작했다고 밝힌 업계 최소 두께를 자랑하는 LPDDR5X D램과 최근 출시한 1TB(테라바이트) 마이크로SD 카드 2종 등을 전시할 것으로 보인다. 또 CXL 기술을 적용한 CXL 3.1 메모리 모듈과 같은 최신 D램 제품과 함께 대표 제품인 HBM3E, DDR5 등도 유력한 전시 후보다.
SK하이닉스는 발표 주제에 맞춰 3분기 양산 계획인 HBM3E 12단 제품과 내년 상반기 양산을 목표로 준비 중인 321단 낸드 샘플 등을 공개한다. 이외에도 △온디바이스용 AI 모바일 낸드 솔루션인 ZUFS 4.0 △온디바이스 AI PC용 SSD PCB01 △서버향 SSD PS1010 △최고속 모바일용 D램 LPDDR5T 등도 선보인다.
김주선 SK하이닉스 AI Infra 담당(사장)은 “AI 시대가 본격화되면서 D램, 낸드 단품보다는 여러 제품을 결합해 성능을 높인 메모리 솔루션의 중요성이 점차 커지고 있다”며 “이번 FMS를 통해 이 분야를 선도하는 당사의 1등 경쟁력과 기술력을 글로벌 시장에 각인시키도록 할 것”이라고 말했다.
장용석 글로벌이코노믹 기자 jangys@g-enews.com
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